MPCVD = Microwave Plasma CVD，微波等离子体化学气相沉积，就是用来长 CVD 培育钻石、金刚石膜 / 金刚石晶圆的设备。
气源：甲烷 + 氢气，微波电离产生等离子体，生成甲基自由基、原子氢；原子氢选择性刻蚀石墨（sp² 碳），只保留 sp³ 金刚石晶格，无电极污染，适合单晶、高纯度电子级 / 热沉金刚石，是现在产业主流路线。
另外还有热丝 CVD (HFCVD) 也能长金刚石，但纯度不如 MPCVD。
MOCVD = Metal-Organic CVD，金属有机化学气相沉积
核心是金属有机前驱体，靠衬底高温热分解，专门长III-V 族化合物半导体：GaN、AlGaN、InGaAs、LED 外延片、射频氮化镓器件，不是用来长金刚石的IEEE Techn...。
虽然名字都带 CVD，但原理、气源、目标材料完全两码事。
MPCVD：微波等离子，CH₄/H₂ → CVD 金刚石（培育钻石、金刚石热沉、金刚石半导体）
MOCVD：金属有机源，热分解 → GaN/LED、射频化合物半导体
